[1] W. Lu, J. Yang, M. A. Khan and I. Adesida, IEEE Trans. Elect. Dev. 48 (2001), 581.
[2] Y.-F. Wu, A. Saxler, M. Noore, R. P. Smith, S. Sheppard, P. M. Chavarkar, T. Wisleder, U. K. Mishra and P. Parikh, IEEE Electron Devices Lett. 25 (2004), 117.
[3] C.-T. Chang, H.-T. Hsu, E. Y. Chang, C.-I. Kuo, J.-C. Huang, C.-Y. Lu and Y. Miyamoto, IEEE Electron Devices Lett. 31 (2010), 105.
[4] F. Iucolano, F. Roccaforte, F. Giannazzo and V. Raineri, J. Appl. Phys. 104 (2008), 093706.
[5] S. Huang, B. Shen, F.-J. Xu, F. Lin, Z.-L. Miao, J. Song, L. Lu, L.-B. Cen, L.-W. Sang, Z.-X. Qin, Z.-J. Yang and G.-Y. Zhang, Semicond. Sci. Technol. 24 (2009), 055005.
[6] S. Saadaoui, M. M. Ben Salem, M. Gassoumi, H. Maaref and C. Gaquière, J. Appl. Phys. 110 (2011), 013701.
[7] S. Saadaoui, M. M. Ben Salem, O. Fathallah, M. Gassoumi, C. Gaquière and H. Maaref, Physica B: Condensed Matter. 412 (2013), 126.
[8] H. Kim, J. Lee, D. Liu and W. Lu, Appl. Phys. Lett. 86 (2005), 143505.
[9] S. Sabuktagin, S. DoÄŸan, A. A. Baski and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 86 (2005), 083506.
[10] C.-Y. Hu and T. Hashizume, J. Appl. Phys. 111 (2012), 084504.
[11] A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, A. V. Markov, A. M. Dabiran, A. M. Wowchak, A. V. Osinsky, B. Cui, P. P. Chow and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 91 (2007), 232116.
[12] H. F. Sun and C. R. Bolognesi, Appl. Phys. Lett. 90 (2007), 123505.
[13] G. Meneghesso, F. Rossi, G. Salviati, M. J. Uren, E. Muñoz and E. Zanoni, Appl. Phys. Lett. 96 (2010), 263512.
[14] L. Fu, H. Lu, D. Chen, R. Zhang, Y. Zheng, T. Chen, K. Wei and X. Liu, Appl. Phys. Lett. 98 (2011), 173508.
[15] J. Joh and J. A. del Alamo, IEEE Trans. Elect. Dev. 58 (2011), 132.
[16] S. Saadaoui, M. M. Ben Salem, M. Gassoumi, H. Maaref and C. Gaquière, J. Appl. Phys. 111 (2012), 073713.
[17] C. R. Crowell and S. M. Sze, J. Appl. Phys. 36 (1965), 3212.
[18] H. C. Card and E. H. Rhoderick, J. Phys. D 4 (1971), 1589.
[19] I. Dökme and Åž. Altındal, Semicond. Sci. Technol. 21 (2006), 1053.
[20] S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed., Wiley, New York, 1981.
[21] S. Chand and J. Kumar, Semicond. Sci. Technol. 11 (1996), 1203.
[22] J. H. Werner and H. H. Güttler, J. Appl. Phys. 69 (1991), 1522.
[23] J. H. Werner and H. H. Güttler, Phys. Scr. T 39 (1991), 258.
[24] S. K. Cheung and N. W. Cheung, Appl. Phys. Lett. 49 (1986), 85.
[25] R. T. Tung, Phys. Rev. B 45 (1992), 13509.
[26] V. Kumar, D. Selvanathan, A. Kuliev, S. Kim, J. Flynn and I. Adesida, Electronics Letters 39 (2003), 747.
[27] W. P. Kang, J. L. Davidson, Y. Gurbuz and D. V. Kerns, J. Appl. Phys. 78 (1995), 1101.
[28] Z. Tekeli, Åž. Altındal, M. Çakmak, S. Özçelik, D. ÇaliÅŸkan and E. Özbay, J. Appl. Phys. 102 (2007), 054510.
[29] J. P. Sullivan, R. T. Tung, M. R. Pinto and W. R. Graham, J. Appl. Phys. 70 (1991), 7403.
[30] R. F. Schmitsdorf, T. U. Kampen and W. Mönch, J. Vac. Sci. Technol. B 15 (1997), 1221.
[31] Åž. KarataÅŸ, Åž. Altındal, A. Türüt and A. Özmen, Appl. Surf. Sci. 217 (2003), 250.
[32] S. Zeyrek, Åž. Altındal, H. Yüzer and M. M. Bülbül, Appl. Surf. Sci. 252 (2006), 2999.
[33] Z. Tekeli, Åž. Altındal, M. Çakmak, S. Özçelik and E. Özbay, Microelectronic Engineering 85 (2008), 2316.
[34] J. Osvald and Z. J. Horvath, Appl. Surf. Sci. 234 (2004), 349.
[35] Ş. Altındal, H. Kanbur, D. E. Yıldız and M. Parlak, Appl. Surf. Sci. 253 (2007), 5056.
[36] F. Iucolano, F. Roccaforte, F. Giannazzo and V. Raineri, Appl. Phys. Lett. 90 (2007), 092119.
[37] F. Iucolano, F. Roccaforte, F. Giannazzo and V. Raineri, J. Appl. Phys. 102 (2007), 113701.
[38] Z. J. Horvath, Solid-State Electron. 39 (1996), 176.
[39] R. F. Schmitsdorf, T. U. Kampen and W. Mönch, Surf. Sci. 324 (1995), 349.
[40] A. F. Özdemir, A. Türüt and A. Kökçe, Semicond. Sci. Technol. 21 (2006), 298. |
